데이터센터 800V 전환으로 광대역갭 반도체가 AI 랙에 진입
Navitas가 Nvidia MGX 800VDC 추진에 합류; SiC와 GaN이 실리콘 대체해 AI '전력 장벽' 돌파, EV 전력 구조 차용
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요약
AI의 전력 수요가 데이터센터 전기 시스템의 재설계를 강요하고 있으며, 광대역갭 전력 반도체가 그 핵심 수단이다. 업계는 랙 전력을 자릿수 단위로 높이기 위해 EV에서 차용한 800VDC 랙 구조로 이동 중이다; 800V에서 SiC와 GaN의 효율 이점이 실리콘 IGBT/MOSFET 대비 원가 프리미엄을 상쇄한다. 2026년 6월 3일 Navitas는 Nvidia의 MGX 에코시스템에 합류해 COMPUTEX에서 서버 트레이 내 48V 중간 버스 단계를 제거하는 GaN 800V-to-6V 전력 배송 보드를 공개했다. HVDC 구조는 데이터센터 에너지 사용을 약 7% 줄일 수 있으며, 데이터센터 전력 전자 시장은 2036년까지 약 2.5배 성장할 것으로 예상된다.
숫자로 보기
- 800 VDC, AI 데이터센터가 채택 중인 랙 구조(기존 48V/415V에서 이동).
- 약 7%, HVDC + 광대역갭으로 인한 데이터센터 에너지 사용 절감 가능치.
- 98.5%, Navitas 10kW DC-DC 플랫폼의 최고 효율(2026년 2월).
- 약 2.5배, 2036년까지 데이터센터 전력 전자 시장의 예측 성장률.
- 2026년 6월 3일, Navitas-Nvidia MGX 800VDC 협업 발표.
중요한 이유
AI 스케일링의 병목은 점점 FLOPs가 아닌 와트 수가 되고 있다. 광대역갭 전력은 랙이 더 높은 효율로 훨씬 많은 전력을 끌어 쓸 수 있게 해 가스·원자력 데이터센터 건설 뒤의 전력망 부담을 완화한다. 또한 SiC/GaN 공급사(Navitas, Wolfspeed, Infineon)로 가치를 이전하고, AI 인프라를 전기차와 동일한 공급망에 연결한다.
주목할 점
- 800VDC가 COMPUTEX 데모에서 실제 출하되는 Nvidia MGX 랙으로 이동하는지.
- AI와 EV 수요가 경쟁하는 상황에서 SiC 웨이퍼와 GaN 소자 공급.
- Nvidia와 하이퍼스케일러가 어떤 전력 반도체 공급사를 표준화하는지.