中国就DRAM价格对三星、SK海力士和美光展开反垄断调查,长鑫存储乘势崛起
北京调查内存定价,潜在罚款最高达25亿美元,与此同时国内芯片龙头长鑫存储提交42亿美元IPO申请,按晶圆产能计算接近行业第三
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摘要
中国据报道已于6月起对三星、SK海力士和美光的内存定价展开反垄断调查,韩国一家券商估计三家公司潜在罚款总额最高达25亿美元。此次调查恰逢在位企业长达一年的减产纪律大幅推高DRAM和NAND价格,同时北京国内龙头长鑫存储(CXMT)向科创板提交约295亿元人民币(42亿美元)的IPO申请,目标估值最高约420亿美元。长鑫存储2026年第一季度营收约73亿美元(同比增长约700%),月晶圆投片量朝约35万片推进,接近美光的约38.5万片,其DDR5产品已进入全球消费级内存模组。三家在位企业在第四季度DRAM出货量中仍占逾90%份额,但格局的地基正在移动。
数字解读
- 最高25亿美元,韩国SK证券分析师估算的潜在反垄断罚款合计
- 逾90%,在位企业(三星、SK海力士、美光)在2025年第四季度DRAM出货量中的份额
- 42亿美元,长鑫存储计划的科创板IPO融资额,估值最高约420亿美元
- 约73亿美元,长鑫存储2026年第一季度营收(同比增长约700%);营业利润率约70%
- 约35万片/月,长鑫存储预计2026年底晶圆产能(对比美光约38.5万片)
重要性
此次调查具有杠杆性质:定价调查给北京提供了反制美国芯片出口管制的筹码,以及为长鑫存储产能扩张提供护盾。如果长鑫存储在产能上跻身第三并以国家支持的资本上市,支撑内存超级周期的三方寡头市场将成为四方市场,新入局者处于中国关税和补贴的保护圈内。
值得关注
- 针对三家在位企业的任何正式调查结论或罚款决定
- 长鑫存储IPO定价、上市日期及上市后产能指引
- 长鑫存储DDR5在全球消费级内存模组中的份额是否持续攀升
- 对HBM的连锁效应:长鑫存储对标准DRAM的冲击是否为在位企业释放HBM产能,还是淹没DRAM市场